Samsung Exynos 2100是三星电子研发的一款旗舰级移动处理器。它采用了5nm EUV制程工艺，较7nm工艺在性能上提升了13%，功耗减少了5%。它内置的1.3GHz的性能核和2.95GHz的能效核也让处理效能得到大大提升。这颗芯片的出现使得多任务处理、游戏体验以及AI运算等高性能需求得到了充分满足。此外，它还具有全像素疾速对焦、HDR10+ 动态映射、影院级视频防抖动等拍照摄影功能，大大提升了移动设备的综合使用体验。总的来说，Samsung Exynos 2100是一颗强大的移动处理器，适用于高性能需求的移动设备，如智能手机和平板电脑。
| CPU 速度 | 1 x 2.9 GHz & 3 x 2.8 GHz & 4 x 2.2 GHzvs12.01 GHz |
| RAM（随机存取存储器）速度 | 3200 MHzvs1714.4 MHz |
| 半导体尺寸 | 5 nmvs17.99 nm |
| 下载速度 | 3000 MBits/svs1586.9 MBits/s |
| CPU线程 | 8 threadsvs6.29 threads |
| 最大内存频宽 | 51.2 GB/svs19.92 GB/s |
| 最大内存尺寸 | 16GBvs9.73GB |
| GPU turbo | 854 MHzvs760.08 MHz |
| 支持64-位元 | 5 nm |
| GPU时脉速度 | 未知 |
| 有 5G 支持 | 854 MHz |
| DirectX版本 | DirectX 12 |
| OpenGL ES版本 | 3.2 |
| OpenCL（开放计算语言）版本 | 2 |
| CPU 速度 | 1 x 2.9 GHz & 3 x 2.8 GHz & 4 x 2.2 GHz |
| CPU线程 | 8 threads |
| 使用big.LITTLE技术 | 未知 |
| 二级缓存 | 未知 |
| 一级缓存 | 未知 |
| 时脉倍频器 | 未知 |
| 三级缓存 | 未知 |
| RAM（随机存取存储器）速度 | 3200 MHz |
| DDR 存储版本 | 5 |
| 最大内存尺寸 | 16GB |
| 最大内存频宽 | 51.2 GB/s |
| 内存通道 | 4 |
| eMMC版本 | 未知 |
| 支持纠错码存储器 | 3000 MBits/s |
| 上传速度 | 422 MBits/s |
| 采用 TrustZone 技术 | 未知 |
| VFP版本 | 未知 |
| 前端宽度 | 未知 |
| Geekbench 5 结果（单核心） | 未知 |
| Geekbench 5 结果（多核心） | 未知 |
| PassMark测试结果 | 未知 |
| PassMark单核测试结果 | 未知 |
| PassMark超频测试结果 | 未知 |
| DirectX版本 | 12 |
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